世界最大的存储芯片制造商三星电子(Samsung Electronics Co.)周四表示，计划到2027年开发出下一代5纳米处理的汽车存储芯片eMRAM。
三星电子在公开先进存储芯片技术路线图的同时，还表示，为了迎接电动汽车和自动驾驶汽车的时代，将大幅改善功率芯片的处理节点。
在德国慕尼黑举行的“三星代工论坛(SSF)”和“三星先进代工生态系统(SAFE)论坛2023”上，三星电子表示，将把汽车芯片作为主要的增长动力。
2019年，三星代工(Samsung Foundry)成为业界首个在28纳米制程节点上量产eMRAM芯片的公司。
eMRAM是嵌入式磁性随机存取存储器的简称，是用于汽车应用的下一代核心存储半导体，由于其快速的读写速度，即使在高温下也能稳定运行。
该公司目前正在开发基于翅片场效应晶体管(FinFET)结构的14纳米eMRAM，目标是在2024年推出。
三星电子计划到2026年和2027年分别将eMRAM产品扩大到8nm和5nm。
该公司表示，与使用14纳米技术生产的芯片相比，8纳米eMRAM芯片的密度将提高30%，速度将提高33%。
另外，三星表示，将准备在2026年之前开始大规模生产尖端的2nm制程汽车芯片。
根据市场研究公司Omdia的预测，全球汽车芯片市场预计将从2022年的635亿美元增长到2026年的962亿美元。
三星电子代工事业本部长崔时荣表示，“为了满足电动汽车和自动驾驶汽车时代的各种客户需求，将开发针对电源芯片和微控制器等汽车半导体的优化工艺。”
加强8寸BCD工艺
三星表示，还将提高8英寸BCD工艺的技术。
BCD是双极、CMOS和DMOS的缩写，是一组硅工艺，每种工艺都将三种不同工艺技术的优势结合到单个芯片上。
这种技术的结合带来了许多优点-提高可靠性，减少电磁干扰和更小的芯片面积。BCD已被广泛采用并不断改进，以解决电源管理，模拟数据采集和电源执行器领域的广泛产品和应用。
目前采用130纳米BCD工艺的三星电子计划到2025年将该技术提高到90纳米水平。与130 nm工艺相比，90 nm BCD工艺可将芯片面积减少约20%。
三星电子计划利用深沟隔离(DTI)技术，将汽车解决方案的电压从目前的70伏提高到120伏，并计划在2025年之前提供120伏的130纳米BCD工艺设计套件。
与合作伙伴一起开发2.5d和3d封装
在慕尼黑论坛上，三星电子表示，将与合作伙伴密切合作，开发适合高性能计算等各种应用的2.5D和3D封装。
在SAFE生态系统中，三星与20家芯片业务合作伙伴一起建立了多模集成(MDI)联盟，以提供尖端的封装解决方案。
今年7月在首尔举行的晶圆代工厂论坛上，三星表示正在加强与客户的合作关系，以增强其在晶圆代工厂领域的影响力。在晶圆代工厂领域，三星远远落后于市场领导者台积电(TSMC)，后者控制着全球一半以上的市场。
三星一直在努力利用其先进的芯片加工技术扩大其代工客户基础，特别是在快速增长的汽车芯片领域。
今年2月，三星与美国芯片设计公司Ambarella Inc.达成协议，使用其先进的5nm工艺节点为其生产汽车芯片。
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